特許
J-GLOBAL ID：200903081373951639
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-290407
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064131
出願日： 2003年08月08日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】半導体ベース基板上に金属層で接合された半導体素子が半導体ベース基板から分離し難く、しかも冷媒の流通部材から冷媒が漏れることが防止された半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体ベース基板10の表面に絶縁層25及び金属層30等を介して半導体素子40が接合されている。絶縁層は半導体ベース基板及び/又は半導体素子の基板の元素と同じ元素を含む。半導体ベース基板はその裏面に冷媒が流通するくぼみを備えている。絶縁層が半導体ベース基板と同じ元素を含むので、半導体素子が半導体ベース基板から分離しにくくなり、半導体素子の基板と同じ元素を含むので、金属層の劣化が防止される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体ベース基板の表面に絶縁層及び金属層を介して半導体素子が接合されて成る半導体装置であって、
前記絶縁層は前記半導体ベース基板又は前記半導体素子の基板の少なくとも一方の元素と同じ元素を含み、前記半導体ベース基板は裏面に冷媒が流通するくぼみを備えている、
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L23/373
, H01L23/40
, H01L23/473
, H05K7/20
H01L23/36 M
, H01L23/40 F
, H05K7/20 D
, H01L23/46 Z
5E322AA01
, 5E322AA05
, 5E322AA11
, 5E322FA01
, 5F036AA01
, 5F036BB08
, 5F036BC05
, 5F036BD13
