特許
J-GLOBAL ID：200903081387204399

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者：
輿水 地塩

輿水 地塩 について

, 
長畑 和典

長畑 和典 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-268578
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093884
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 設計変更およびスループットの低下を伴わずに被処理体搬出時の異常放電を防止することが可能なプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 エッチング装置100の処理室102内の下部電極106上に載置されたウェハWにエッチング処理を施す。処理終了後,ウェハWを吸着保持する静電チャック108に印加する高圧直流電圧を逆極性に切り替える。ゲートバルブGを開放し,処理室102と連通する搬送室200内からN2を流入させる。処理室102内の圧力が上昇し,ウェハWの残留電荷が穏やかに自己放電する。下部電極106をプラズマ処理位置から搬送位置に降下させ,ウェハWをリフターピン130で静電チャック108のチャック面から離しても,ウェハWと導電性のリフターピン130との間で異常放電が生じることがない。
請求項（抜粋）：
被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において:プラズマ処理時に減圧雰囲気に維持されるプラズマ処理室と;前記プラズマ処理室内に配置され,前記被処理体を載置可能に構成されるとともに,上方のプラズマ処理位置と下方の搬送位置との間を移動可能に構成される電極と;前記電極の載置面に設けられ,高圧直流電圧の印加により前記被処理体を着脱自在に吸着保持する静電チャックと;前記プラズマ処理室内よりも高圧雰囲気に維持され,前記プラズマ処理室との間で前記被処理体の受け渡しを行う搬送室と;前記プラズマ処理室と前記搬送室とを開閉自在に気密に接続する開閉手段と;プラズマ処理終了後,前記電極を前記プラズマ処理位置から前記搬送位置に到達させるまでに,前記開閉手段を開放して前記搬送室内のガスを前記プラズマ処理室内に導入する制御を行う制御手段と;を備えることを特徴とする,プラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/68 ,  H05H 1/46
FI (4件)：
C23F 4/00 A ,  H01L 21/68 R ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C
Fターム (32件)：
4K057DA02 ,  4K057DD01 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DM03 ,  4K057DM13 ,  5F004AA06 ,  5F004BA08 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB18 ,  5F004BC05 ,  5F004BC06 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004CA05 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F031CA02 ,  5F031CA05 ,  5F031HA17 ,  5F031HA19 ,  5F031HA33 ,  5F031HA35 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031NA04 ,  5F031NA08 ,  5F031NA10 ,  5F031PA03 ,  5F031PA04 ,  5F031PA20
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • プラズマ処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-163710   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-069473   出願人：株式会社フロンテック, アネルバ株式会社

前のページに戻る

TOP

BOTTOM