特許
J-GLOBAL ID：200903081430948100
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-321637
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162287
出願日： 1995年12月11日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 ヴィアホールの形成において下地膜であるTiN膜に対して選択性の優れたエッチングを行い得る半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 一般的なCF4 ,CHF3 等のガスを用いてエッチングを行うと、反応生成物MR は半導体基板の保持温度が100°Cの場合(a)よりも保持温度が140°Cの場合(b)の方がシリコン酸化膜101及びフォトレジスト108における開口部に集中している状態から均一に堆積する方向に変化する。そこで、ここでは半導体基板における金属配線間にドライエッチングにより導通孔を形成するドライエッチング工程において、ドライエッチングに際してフォトレジストをマスクとして半導体基板を120〜140[°C]に保温して行う。ドライエッチングに先立ってウェーハ状態の半導体基板を保持する保持部の温度を120°Cに設定してから240秒以上熱処理するとエッチングの選択性が向上する。
請求項（抜粋）：
半導体基板における金属配線と活性領域又は独立した他の金属配線との間にドライエッチングにより導通孔を形成するドライエッチング工程を含む半導体装置の製造方法において、前記ドライエッチング工程では前記ドライエッチングに際してフォトレジストをマスクとして前記半導体基板を120〜140[°C]に保温して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/3065
H01L 21/90 A
, H01L 21/28 L
, H01L 21/302 J
