特許
J-GLOBAL ID：200903081440402050
強誘電体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-275799
公開番号（公開出願番号）：特開平9-120685
出願日： 1995年10月24日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：
【要約】【課題】読み出し時の動作マージンが充分確保でき、信頼性が高い強誘電体記憶装置を実現する。【解決手段】1TR-1CAP型セルの強誘電体記憶装置において、メモリセルMAのデータ読み出しを行う場合には、互いに逆相のデータが記録された第1の比較セルRM1’、および第2の比較セルRM2’の合成データと比較読み出しを行い、メモリセルMA’のデータ読み出しを行う場合には、互いに逆相のデータが記録された第1の比較セルRM1、および第2の比較セルRM2の合成データと比較読み出しを行う。
請求項（抜粋）：
行状に配列されたワード線と列状に配列されたビット線との各交差点に配置された1個の選択トランジスタと1個の強誘電体キャパシタより構成されるメモリセルの上記強誘電体キャパシタの分極方向によって、互いに逆相の第1のデータまたは第2のデータのどちらかのデータを記憶する強誘電体記憶装置であって、データ読み出し時に、選択されたワード線内のそれぞれの読み出しセル毎に対応して、比較読み出しを行い、かつ互いに逆相のデータを記憶する第1の比較セルおよび第2の比較セルと、上記読み出しセルが接続された読み出しビット線毎に対応して、上記第1の比較セルおよび第2の比較セルが接続された比較ビット線とを有する強誘電体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 14/00
, G11C 11/22
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
G11C 11/34 352 A
, G11C 11/22
, H01L 27/10 451
, H01L 27/10 651
