特許
J-GLOBAL ID：200903081442013700
撮像装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-175015
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012866
出願日： 1998年06月22日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 1画素に複数のTFTが配置されている撮像装置において、TFTの特性のばらつきが原因となって画質が劣化したりリーク電流が増加することを防止する。【解決手段】 入射光を信号電荷に変換する光電変換膜とこの信号電荷を蓄積する画素容量とを含む画素部OEFと、走査線G1により動作を制御されて画素電極電位を信号線S1へ読み出す薄膜トランジスタTFT1と、画素電極電位が所定以上になるとバイアス線B1に画素電位を逃がして画素電極が破壊されるのを防ぐ保護ダイオードTFT2とを含み、画素電極にソース又はドレインが接続されたトランジスタTFT1、TFT2にはLDD長が長いTFT、又はダブルゲート構造のTFT、あるいはトランジスタサイズの小さいTFTを採用することにより、オフ抵抗を増加させてリーク電流を抑制すると共に、読み出し前に信号電荷がリークしてS/N比が低下するのを防止する。
請求項（抜粋）：
基板上に相互に直交するように配置された信号線及び走査線と、前記信号線と前記走査線とが交差する箇所に配置され入射光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換膜及び画素電極を含む画素部と、前記走査線により動作を制御されて前記画素電極の電位を読み出す薄膜トランジスタを含む信号読み出し回路と、前記走査線を駆動する走査線駆動回路とを備え、前記信号読み出し回路に含まれる前記薄膜トランジスタのうち、ソース又はドレインが前記画素電極に接続されたものは他の薄膜トランジスタよりもLDD長が長いことを特徴とする撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 612 Z
, H01L 29/78 616 S
