特許

J-GLOBAL ID：200903081458880420

ゲート酸化膜の形成方法

発明者： 渡部 宏治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-036369
公開番号（公開出願番号）：特開2000-235975
出願日： 1999年02月15日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】 3.0nm以下のゲート酸化膜を、膜厚制御性良く形成し、なお且つ、高密度、界面高平坦性、面内高均一性、膜中高均質性を得ることが困難であった。【解決手段】 ゲート酸化膜の形成方法において、Si基板を真空中に搬送し、基板を加熱処理して自然酸化膜を脱離させた後、基板を加熱しながら、少なくともO2を含むガスをプラズマ解離させることで酸素ラジカルを生成し、酸素ラジカルでSi基板を酸化させ、酸素ラジカルの供給を止めて、続けて、酸素分子雰囲気による処理をおこなうことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Si基板を真空中で加熱処理して自然酸化膜を脱離させた後、前記Si基板を加熱しながら、少なくともO2を含むガスをプラズマ解離させることで生成した酸素ラジカルで前記Si基板を酸化させ、ついで酸素ラジカルの供給を止め、続けて、酸素分子雰囲気による処理をおこなうことを特徴とするゲート酸化膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (22件)：

5F040DA00 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040EH02 ,  5F040EJ03 ,  5F040EK01 ,  5F040FA03 ,  5F040FA19 ,  5F040FC00 ,  5F040FC02 ,  5F040FC19 ,  5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BE10 ,  5F058BF73 ,  5F058BG01 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコン酸化膜の形成方法および形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-273591   出願人：株式会社リコー
• 単結晶半導体基板の上に薄膜を沈着する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-210779   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• シリコン酸化膜の製造方法と製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-053023   出願人：富士通株式会社
• 特開昭63-090138