特許

J-GLOBAL ID：200903047115859520

シリコン酸化膜の形成方法および形成装置

発明者： 日野 威 ,  三浦 博
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-273591
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092639
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 構造欠陥の少ない初期酸化膜の形成によって高品質のシリコン酸化膜の形成を可能にする。【解決手段】 薬品による洗浄の最終工程において、酸化性の薬品による洗浄によってシリコン基板101表面に保護膜としての溶液酸化膜102形成してシリコン基板表面を安定化させる(図1(b))。次に、この溶液酸化膜102を次の熱処理工程において除去してから(同図(c))、改めて初期酸化膜103を形成し(同図(d))、しかるのち本酸化工程を行ってシリコン酸化膜104を形成する(同図(e))。これにより、従来方法(溶液酸化膜を処理して初期酸化膜とする方法等)に比べて、清浄かつ欠陥の少ない初期酸化膜を得ることができ、その後の本酸化工程によって形成されるシリコン酸化膜は従来よりも高品質のものになる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板を薬品により洗浄する洗浄工程の最終工程において、酸化性の薬品によりシリコン基板の表面を酸化する洗浄工程と、洗浄後のシリコン基板を圧力10-9Torr以下の雰囲気において温度800ないし1000°Cで熱処理する熱処理工程と、熱処理後のシリコン基板の表面に、圧力10-6ないし10-7Torrの酸素プラズマ雰囲気において、酸化膜を形成する初期酸化膜形成工程と、初期酸化膜形成後のシリコン基板上に、通常の熱酸化法により酸化膜を形成する本酸化工程とを行うことを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/304 341 Z ,  H01L 21/316 S