筒状炭素分子の製造方法および筒状炭素分子、ならびに記録装置の製造方法および記録装置

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-003774
公開番号（公開出願番号）：特開2004-262666
出願日： 2003年01月09日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】カーボンナノチューブをより微細な間隔で規則正しく配列させることができる筒状炭素分子の製造方法を提供する。【解決手段】シリコン(Si)などの半導体からなり、触媒として鉄(Fe)を含む素材基板10に対して、変調された熱分布に応じた溶融を利用して、熱分布に応じた位置に鉄を析出させて基板15を形成する。基板15に析出した鉄を触媒としてカーボンナノチューブ16を成長させる。更に、カーボンナノチューブ16の周囲の空間に固定層18を形成し、固定層18と共にカーボンナノチューブ16を研磨してカーボンナノチューブ16の先端を所定の平面内に形成すると共に開放端16Aを形成する。固定層18の上に鉄よりなる薄膜19を形成し、薄膜19を研磨することにより、カーボンナノチューブ16の先端部に鉄よりなる磁性層19Aを挿入して、記録装置20として用いることができる。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

変調された熱分布による溶融を利用して、筒状炭素分子の触媒機能を有する金属を配置する触媒配置工程と、筒状炭素分子を成長させる成長工程とを含むことを特徴とする筒状炭素分子の製造方法。

IPC (7件)：

C01B31/02 , B01J23/745 , B82B1/00 , B82B3/00 , G11B5/65 , G11B5/738 , G11B5/84

FI (7件)：

C01B31/02 101F , B82B1/00 , B82B3/00 , G11B5/65 , G11B5/738 , G11B5/84 Z , B01J23/74 301M

Fターム (29件)：

4G069AA04 , 4G069AA08 , 4G069BC66B , 4G069CB81 , 4G069DA06 , 4G069FA03 , 4G069FB03 , 4G146AA11 , 4G146AB07 , 4G146AB08 , 4G146AD29 , 4G146BA12 , 4G146BC09 , 4G146BC44 , 4G146CB08 , 5D006BA19 , 5D006BB07 , 5D006CA01 , 5D006CA05 , 5D006EA01 , 5D006EA03 , 5D112AA03 , 5D112AA18 , 5D112BD02 , 5D112CC01 , 5D112EE01 , 5D112FA01 , 5D112GA09 , 5D112GA19

引用特許：

審査官引用 (9件)

電子放出素子、電子源、画像形成装置、及び電子放出素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-089373 出願人：キヤノン株式会社
特開平2-263589
カ-ボンナノチュ-ブを含む物を製造するための方法および切り取られたカ-ボンナノチュ-ブを含むデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-015645 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

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