特許
J-GLOBAL ID：200903081471493843

高周波特性測定法

発明者：
中山 明

中山 明 について

, 
見島 常雄

見島 常雄 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-093563
公開番号（公開出願番号）：特開2002-286771
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：
【要約】【課題】誘電体薄膜の比誘電率、誘電正接、又は薄膜導体からなる電極のインダクタンス、抵抗を高精度に測定することができる高周波特性測定法を提供する。【解決手段】誘電体薄膜11、21と電極12、13、22、23により形成され、誘電体薄膜11、21の厚みt1、t2さのみが異なる2種類の薄膜コンデンサ1、2を準備し、該2種類の薄膜コンデンサ1、2のインピーダンスをそれぞれ測定し、該2種類の薄膜コンデンサ1、2のインピーダンスを減算して、電極12、13、22、23のインダクタンスと電気抵抗によるインピーダンス効果を消去し、誘電体薄膜11、21の比誘電率及び/又は誘電正接を求めることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
誘電体薄膜と電極により形成され、前記誘電体薄膜の厚さのみが異なる2種類の薄膜コンデンサを準備し、該2種類の薄膜コンデンサのインピーダンスをそれぞれ測定し、該2種類の薄膜コンデンサのインピーダンスを減算して、前記電極のインダクタンスと電気抵抗によるインピーダンス効果を消去し、前記誘電体薄膜の比誘電率及び/又は誘電正接を求めることを特徴とする高周波特性測定法。
IPC (2件)：
G01R 27/26 ,  H01G 13/00 361
FI (2件)：
G01R 27/26 H ,  H01G 13/00 361 Z
Fターム (15件)：
2G028AA02 ,  2G028BB06 ,  2G028BC02 ,  2G028BF08 ,  2G028CG02 ,  2G028CG06 ,  2G028CG08 ,  2G028CG09 ,  2G028CG10 ,  2G028DH14 ,  2G028DH15 ,  2G028HN09 ,  5E082FG03 ,  5E082MM09 ,  5E082MM35
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM