特許
J-GLOBAL ID：200903081473306196

半導体薄膜の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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大谷 久

大谷 久 について

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宮永 昭治

宮永 昭治 について

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寺本 聡

寺本 聡 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-028649
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199420
出願日： 1996年01月23日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【目的】 ニッケルを用いて結晶化させた珪素膜中のニッケル元素を減少させる技術を提供する。【構成】 ガラス基板101上に形成された非晶質珪素膜103にニッケルを微量に導入し、加熱により結晶化させる。この際、結晶化した珪素膜105中にはニッケル元素が残留している。そこで、結晶化した珪素膜105の表面に非晶質珪素膜107を形成し、さらに加熱処理を行う。この加熱処理を行うことによって、非晶質珪素膜107中にニッケル元素が拡散し、結晶化した珪素膜105中のニッケル濃度を下げることができる。
請求項（抜粋）：
非晶質珪素膜中に金属元素を導入する工程と、前記非晶質珪素膜を結晶化させて結晶性珪素膜を得る工程と、前記結晶性珪素膜上に不純物を含有する非晶質珪素膜を形成する工程と、前記不純物を含有する非晶質珪素膜中に前記金属元素を拡散させる工程と、前記不純物を含有する非晶質珪素膜を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体薄膜の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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