半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-156594
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335905
出願日： 1994年06月15日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】大面積基板全面にわたって,均一で安定した特性の高性能薄膜トランジスタ素子を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】基板上に減圧化学気相成長法により作製された非晶質珪素膜を有し,該非晶質珪素膜に結晶化を助長する金属元素を選択的に導入して加熱することにより前記金属元素が選択的に導入された領域の周辺部において,基板表面に平行に結晶成長させた結晶性珪素膜を利用して薄膜トランジスタが設けられている。

請求項（抜粋）：

基板上に減圧化学気相成長法により作製された非晶質珪素膜を有し、該非晶質珪素膜に結晶化を助長する金属元素を選択的に導入して加熱することにより、前記金属元素が選択的に導入された領域の周辺部において、基板表面に平行に結晶成長させた結晶性珪素膜を利用して薄膜トランジスタが設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , C23C 16/24 , H01L 21/20 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平2-140915
特開平2-140915
特開平4-321219

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