特許
J-GLOBAL ID：200903081495868830

膜パターンの形成方法、膜パターンの形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体

発明者：
小山 実

小山 実 について

, 
山崎 保範

山崎 保範 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-131598
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335849
出願日： 2003年05月09日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】放射ノイズの低減を図った膜パターンの形成方法及び装置を提供することを課題とする。【解決手段】本発明の膜パターンの形成方法は、膜形成成分を含有した液体からなる液滴を、基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、所定の粒径を有する液滴(標準液滴)100で連続して描画してなる配線101の凹部分(窪み部分)102を埋めるように小径の液滴103を吐出し、なめらかな配線を構成する。これにより、配線101を形成するエッジ部分において、従来のような鋭角な部分がなくなり、線幅が均一化され、高周波ノイズの発生を低減することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
膜形成成分を含有した液体からなる液滴を、基板上の所定の膜形成領域に吐出して膜パターンを形成する膜パターンの形成方法であって、 所定液滴径で描画してなる配線の凹部分を埋めるように小径の液滴を吐出することを特徴とする膜パターンの形成方法。
IPC (5件)：
H01L21/288 ,  B41J2/01 ,  G09F9/00 ,  H01L21/3205 ,  H05B33/10
FI (5件)：
H01L21/288 Z ,  G09F9/00 342Z ,  H05B33/10 ,  B41J3/04 101Z ,  H01L21/88 B
Fターム (43件)：
2C056FA10 ,  2C056FA15 ,  2C056FB01 ,  2C056FD10 ,  3K007AB18 ,  3K007CC00 ,  3K007FA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104HH20 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033VV15 ,  5F033XX00 ,  5G435AA00 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB06 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435CC12 ,  5G435HH12 ,  5G435HH14 ,  5G435HH18 ,  5G435HH20 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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