特許
J-GLOBAL ID：200903081508713636
半導体圧力センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-085641
公開番号（公開出願番号）：特開平11-281509
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】ダイアフラム式半導体圧力センサにおいて、被測定流体中の荷電物や外部からの電磁波ノイズに対処でき、このノイズ対処をダイアフラムの感度を損なうことなく低コストで実現させる。【解決手段】基板10の一面に基準圧力室70と該基準圧力室を覆うダイアフラム200とが形成される。このダイアフラムは基準圧力室70と反対の面に被測定流体の圧力がかかることで変位し、その変位を電気信号に変換する。ダイアフラム200のうち被測定流体が接触する受圧面に絶縁膜210が被覆され、さらに絶縁膜210の上に電磁シールド用導電膜220が接地状態で被覆されている。
請求項（抜粋）：
被測定流体の圧力に応動するダイアフラムを備えた半導体圧力センサにおいて、前記ダイアフラムのうち被測定流体が接触する受圧面に絶縁膜を介して電磁シールド用導電膜が接地状態で被覆されていることを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (3件)：
G01L 9/12
, H01L 21/306
, H01L 29/84
G01L 9/12
, H01L 29/84 Z
, H01L 21/306 Z
