特許
J-GLOBAL ID：200903081557393396
化合物半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-047366
公開番号（公開出願番号）：特開2004-282049
出願日： 2004年02月24日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】 HBTの電流増幅率が大きく、且つそのIcドリフト依存性の小さいHBTを得ること。【解決手段】 V/III比を3.3〜40の範囲内とし、Cをドーパントとしてp型のGaAs層をMOCVD気相成長させて熱安定性の良好なHBTベース層43を形成する。これによりCとHとの結合様式C2-Hがない状態となる。その後熱処理によってベース層43内に取り込まれたHを除去し、これにより、電流増幅率βが大きく、且つそのIcドリフト依存性の小さいHBTを得る。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上にサブコレクタ層、コレクタ層、ベース層及びエミッタ層が気相成長によりこの順序で薄膜結晶層として形成されて成るヘテロ接合バイポーラトランジスタを含む化合物半導体素子において、
前ベース層が、ドーパントとしてCを含むp型化合物半導体薄膜であり、室温における赤外吸収測定においてHとCとの結合様式C2-Hのピークが検出されないことを特徴とする化合物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L21/331
, H01L29/732
, H01L29/737
H01L29/72 H
, H01L29/72 P
5F003AP06
, 5F003BA92
, 5F003BB08
, 5F003BC08
, 5F003BE02
, 5F003BF06
, 5F003BM03
, 5F003BP32
, 5F003BP95
