化合物半導体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保山隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-210869
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049094
出願日： 1998年07月27日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】成長時のエッチング量が比較的小さく、かつ大型のMOVPE装置でも高濃度に炭素を添加できる化合物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】炭素を添加したp型半導体エピタキシャル層を少なくとも1層有する化合物半導体を、有機金属気相成長法により製造する方法において、該p型半導体エピタキシャル層に添加する炭素の炭素源として一臭化三塩化炭素を用いる化合物半導体の製造方法。

請求項（抜粋）：

炭素を添加したp型半導体エピタキシャル層を少なくとも1層有する化合物半導体を、有機金属気相成長法により製造する方法において、該p型半導体エピタキシャル層に添加する炭素の炭素源として一臭化三塩化炭素を用いることを特徴とする化合物半導体の製造方法。

Fターム (14件)：

5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045BB01 , 5F045BB04 , 5F045CA02 , 5F045DA53 , 5F045GB12 , 5F045GB13

引用特許：

審査官引用 (4件)

化合物半導体用不純物原料
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-178006 出願人：ソニー株式会社
特公昭44-013123
特公昭44-013123

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