特許
J-GLOBAL ID：200903081560460100

電子デバイスのための誘電材料

発明者：
イリアング ウー

イリアング ウー について

, 
ベング エス オング

ベング エス オング について

, 
ピング リュウ

ピング リュウ について


出願人/特許権者：
ゼロックス コーポレイション

ゼロックス コーポレイション について


代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-319089
公開番号（公開出願番号）：特開2006-135327
出願日： 2005年11月02日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】溶液加工性で、薄膜トランジスタのゲート誘電体層を作製するのに使用することができる誘電材料組成物を提供する。【解決手段】シロキシ/金属酸化物ハイブリッド組成物から調製した誘電材料、そのような誘電材料を含む薄膜トランジスタなどの電子デバイスを提供する。シロキシ/金属酸化物ハイブリッド組成物は、例えば、シロキサンまたはシルセスキオキサンなどのシロキシ成分を含む。シロキシ/金属酸化物ハイブリッド組成物は、溶液堆積技術を用いる薄膜トランジスタのための誘電体層の調製に用いられる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シロキシ成分と金属酸化物成分とを含み、シロキシ成分はシロキサン類、シルセスキオキサン類及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、電子デバイスの誘電体構成要素の作製に使用するのに適したシロキシ/金属酸化物ハイブリッド組成物。
IPC (8件)：
H01L 21/316 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  C08L 83/04 ,  C08K 3/22 ,  C08K 5/057
FI (8件)：
H01L21/316 B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280 ,  H01L29/28 390 ,  C08L83/04 ,  C08K3/22 ,  C08K5/057
Fターム (48件)：
4J002CP031 ,  4J002DE096 ,  4J002DE136 ,  4J002DE146 ,  4J002EC076 ,  4J002GQ05 ,  5F058AA03 ,  5F058AA07 ,  5F058AC03 ,  5F058AC06 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 米国特許第6,621,099号明細書
  • 米国特許第6,770,904号明細書
  • 米国特許第6,774,393号明細書
審査官引用 (5件)
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