特許
J-GLOBAL ID：200903081576062554

半導体装置およびその製造方法

発明者：
大森 寛将

大森 寛将 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-140247
公開番号（公開出願番号）：特開2009-289932
出願日： 2008年05月29日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：
【課題】仕切り層が柱状に形成された並列pn層を有するスーパージャンクション構造を安価で且つ歩留良く得られる製造方法を提供すること。【解決手段】n型のドレイン層1上に第1のトレンチ12aを形成する工程と、第1のトレンチ12a内部およびドレイン層1上にn型のドリフト層10a,10bをエピタキシャル成長させる工程と、ドリフト層10a,10bを平坦化する工程と、ドレイン層1およびドリフト層10a,10b上に第2のトレンチ12bを形成する工程と、第2のトレンチ12b内部およびドレイン層1上にn型のエピタキシャル層を成長させ、ドリフト層を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型のドリフト層と前記第1導電型とは異なる第2導電型の仕切り層とを横方向に交互に形成する構造を有し、オン状態でドリフト電流を縦方向に流すと共に、オフ状態で空乏化する半導体領域を有する半導体装置の製造方法において、前記半導体領域の形成方法が、 半導体基板上にトレンチを形成する工程と、 前記トレンチ内部および前記半導体基板上にエピタキシャル層を形成する工程と、 前記エピタキシャル層を平坦化する工程と、を複数回繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L29/78 658E ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 658A
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許3485081
審査官引用 (2件)

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