特許
J-GLOBAL ID：200903081577410823

酸化チタン膜および半導体電極ならびに色素増感型太陽電池

発明者：
日渡 賢一

日渡 賢一 について

, 
桝山 直人

桝山 直人 について

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堀江 雄二

堀江 雄二 について


出願人/特許権者：
電源開発株式会社

電源開発株式会社 について

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国立大学法人 鹿児島大学

国立大学法人 鹿児島大学 について


代理人 (5件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-336920
公開番号（公開出願番号）：特開2008-152949
出願日： 2006年12月14日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：
【課題】光電変換効率を向上させ、かつ安価に製造が可能な色素増感太陽電池およびこの色素増感太陽電池に適用可能な半導体電極や酸化チタン膜を提供する。【解決手段】基板11を構成する透明導電膜15には、下地膜となる酸化チタン膜12が形成されている。図2に示すように、酸化チタン膜12は、基板11の一面11a、即ち透明導電膜15から垂直方向Lに向けて成長した針状結晶を成すアナターゼ型の酸化チタンからなる。このような針状結晶を成すアナターゼ型の酸化チタンは、垂直方向に結晶軸が選択的に成長した針状ないし柱状の結晶構造を成す。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板の一面に形成された酸化チタン膜であって、この酸化チタン膜は、前記基板の一面から垂直方向に結晶軸が選択的に成長した針状結晶を成すアナターゼ型酸化チタンであることを特徴とする酸化チタン膜。
IPC (4件)：
H01M 14/00 ,  H01L 31/04 ,  C30B 29/62 ,  C01G 23/047
FI (4件)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z ,  C30B29/62 C ,  C01G23/047
Fターム (18件)：
4G047CA02 ,  4G047CB04 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4G047CD05 ,  4G047CD07 ,  4G077AA04 ,  4G077BB04 ,  4G077DA12 ,  4G077HA01 ,  5F051AA14 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032CC14 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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