ポリシリコンTFT液晶ディスプレイのゲート電極及びポリシリコンTFT液晶ディスプレイのゲート電極形成用スパッタリングターゲット

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：明田莞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-039308
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230418
出願日： 2000年02月17日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】絶縁膜中の電荷を低減させることができ、ひいては所定の電圧範囲でのスイッチング特性を安定して確保させることができるポリシリコンTFT液晶ディスプレイのゲート電極、及び、このゲート電極を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】アルカリ金属の含有量が0.3ppm以下である金属または合金(Ag、Al、Au、Cr、Cu、Mo、Ti、Ta、Wから選択される1種又は2種以上の金属又は合金)よりなることを特徴とするポリシリコンTFT液晶ディスプレイのゲート電極、及び、アルカリ金属の含有量が0.3ppm以下である金属又は合金(上記ゲート電極と同様の金属又は合金)よりなることを特徴とするスパッタリングターゲット。

請求項（抜粋）：

Ag、Al、Au、Cr、Cu、Mo、Ti、Ta、Wから選択される1種または2種以上の金属または合金よりなるポリシリコンTFT液晶ディスプレイのゲート電極であって、アルカリ金属の含有量が0.3ppm以下であることを特徴とするポリシリコンTFT液晶ディスプレイのゲート電極。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , C23C 14/34 , G02F 1/1368 , H01L 21/28 301 , H01L 21/285

FI (5件)：

C23C 14/34 A , H01L 21/28 301 L , H01L 21/285 S , H01L 29/78 617 M , G02F 1/136 500

Fターム (40件)：

2H092JA25 , 2H092JA37 , 2H092KA04 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA35 , 2H092NA30 , 2H092PA01 , 4K029BA03 , 4K029BA23 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC04 , 4K029DC07 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104CC05 , 4M104DD40 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F110AA08 , 5F110AA14 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110EE50 , 5F110GG02 , 5F110GG13

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭60-066425
特開昭61-264173
液晶表示素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-057668 出願人：株式会社東芝

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