Al合金電極膜およびスパッタリング用ターゲット

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-227309
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053024
出願日： 1999年08月11日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】ドライエッチング性に優れ、Al合金電極膜とその形成に使用されるスパッタリング用ターゲットを提供する。【解決手段】本発明の電極膜はB、C、4a族、5a族、6a族、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ptから選ばれる元素のうち少なくとも1種以上の元素を総量として0.1〜5原子%含有し、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Baの含有量が100重量ppm以下の残Alの組成からなりドライエッチングによりパターン形成されたものである。この電極膜は、上記組成に対応するスパッタリング用ターゲットにより得られる。

請求項（抜粋）：

B、C、4a族、5a族、6a族、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ptから選ばれる元素のうち少なくとも1種以上の元素を総量として0.1〜5原子%含有し、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Baから選ばれる元素の総含有量が100重量ppm以下、残部実質的にAlからなり、ドライエッチングによりパターン形成されたことを特徴とするAl合金電極膜。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 , C23C 14/34 , G02F 1/1343 , H01L 21/285 , H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 21/28 301 L , C23C 14/34 A , G02F 1/1343 , H01L 21/285 S , H01L 21/302 G

Fターム (32件)：

2H092KA16 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092NA18 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092NA28 , 4K029AA09 , 4K029BA23 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC08 , 4M104BB02 , 4M104BB39 , 4M104DD40 , 4M104DD65 , 4M104GG20 , 4M104HH14 , 4M104HH20 , 5F004AA08 , 5F004BA04 , 5F004BB29 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DB09 , 5F004DB12

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭61-097823
Al系スパッタリング用タ-ゲット材およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-114391 出願人：日立金属株式会社
特開平4-323872

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