特許
J-GLOBAL ID：200903081588265116

3次元構造体の製造方法

発明者：
水野 眞一

水野 眞一 について

, 
松下 孟史

松下 孟史 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-295783
公開番号（公開出願番号）：特開2003-107265
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月09日
要約：
【要約】【課題】 光の閉じ込め効果が高く高精度な3次元的な周期構造を低コストで形成することができる3次元構造体の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコンからなる基板31上に多孔質シリコンからなる多孔質層32を介して例えば単結晶シリコンまたはシリコンゲルマニウムからなる薄膜層を形成する。この薄膜層を、同一形状の多数の角柱からなる2次元的な周期的パターンによりパターニングして、薄膜パターン層12を形成する。薄膜パターン層12を支持基板11に融着した後、多孔質層32の分離層32Aを境として基板31を剥離する。同様にして、別の基板上に薄膜パターン層13を形成し、薄膜パターン層13の角柱が薄膜パターン層12の角柱に直交するように融着積層する。以後、同様に薄膜パターン層14〜21を形成、積層し、3次元構造体10を得る。
請求項（抜粋）：
2次元的な周期的パターンを有する複数の薄膜パターン層を、3次元的な周期性の下に積層してなる3次元構造体の製造方法であって、基板上に多孔質層を形成し、この多孔質層の上に薄膜層を形成した後、この薄膜層を前記2次元的な周期的パターンによりパターニングして前記複数の薄膜パターン層の各々を形成する工程と、前記複数の薄膜パターン層を一層ずつ3次元的な周期性の下に積層する工程とを含み、前記複数の薄膜パターン層を積層する工程において、一層の薄膜パターン層を積層した後、次の薄膜パターン層を積層する前に、前記基板を前記多孔質層を境として剥離し、前記薄膜パターン層の表面に残存する前記多孔質層を除去することを特徴とする3次元構造体の製造方法。
IPC (5件)：
G02B 6/13 ,  G02B 1/02 ,  G02B 1/10 ,  G02B 5/18 ,  G02B 6/12
FI (5件)：
G02B 1/02 ,  G02B 5/18 ,  G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 Z ,  G02B 1/10 Z
Fターム (19件)：
2H047KA01 ,  2H047KB08 ,  2H047PA05 ,  2H047PA21 ,  2H047PA24 ,  2H047QA02 ,  2H047TA41 ,  2H049AA12 ,  2H049AA33 ,  2H049AA44 ,  2H049AA55 ,  2H049AA59 ,  2H049AA61 ,  2K009BB04 ,  2K009CC01 ,  2K009CC12 ,  2K009DD02 ,  2K009DD11 ,  2K009EE00
引用特許：
審査官引用 (2件)

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