超音波トランスデューサ・アレイの高電圧スイッチングのための方法及び装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：松本研一 , 小倉博 , 伊藤信和 , 黒川俊久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-200350
公開番号（公開出願番号）：特開2005-081140
出願日： 2004年07月07日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：

【課題】超音波トランスデューサ・アレイに用いることのできる高電圧スイッチング回路を提供する。【解決手段】寄生ゲート容量を有するスイッチ(X1〜X3)は、共有ゲート端子を有する一対のDMOSFET(MD1及びMD2)を含み、そのソースは互いに接続され、ドレインはスイッチの入力及び出力端子にそれぞれ接続され、且つバイアス電圧レベルにバイアスされている。制御回路(C1〜C3)は、スイッチの共有ゲート端子に接続されたドレイン、プログラミング電圧を受け取るソース、プログラミング・トランジスタ・ゲート電圧を受け取るゲートを有するプログラミング・トランジスタ(M4 )と、プログラミング電圧をより低いレベルへ遷移させる第1の回路(12)と、プログラミング・トランジスタ・ゲート電圧をより低いレベルへ遷移させる第2の回路(M7 及びM8 )とを含んでいる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

(a)オン及びオフ状態を持ち且つ寄生ゲート容量を有するスイッチであって、当該スイッチは、共有ゲート端子を有する一対のDMOSFET(MD1及びMD2)を含んでおり、該一対のDMOSFETのソースは互いに接続されており、該一対のDMOSFETのドレインはスイッチの入力端子及び出力端子(S1 及びS2 )にそれぞれ接続され、且つバイアス電圧レベルにバイアスされている、スイッチと、 (b)前記スイッチをターンオン及びターンオフするための制御回路であって、 (b1)前記スイッチの前記共有ゲート端子に接続されたドレインと、プログラミング電圧を受け取るように接続されたソースと、プログラミング・トランジスタ・ゲート電圧を受け取るように接続されたゲートとを有するプログラミング・トランジスタ(M4 )と、 (b2)前記プログラミング電圧の第1のレベルから前記プログラミング電圧の第2のレベルへの第1の遷移を生じさせる第1の回路(12)であって、前記プログラミング電圧の前記第2のレベルは前記プログラミング電圧の前記第1のレベルよりも低く、且つ前記スイッチをターンオンするのに充分な大きさだけ前記バイアス電圧レベルよりも高くなっている、第1の回路(12)と、 (b3)前記プログラミング・トランジスタ・ゲート電圧の第1のレベルから前記プログラミング・トランジスタ・ゲート電圧の第2のレベルへの第2の遷移を生じさせる第2の回路(M7 及びM8 )であって、前記プログラミング・トランジスタ・ゲート電圧の前記第1のレベルは前記プログラミング電圧の前記第1のレベルにほぼ等しく、また、前記プログラミング・トランジスタ・ゲート電圧の前記第2のレベルは、前記プログラミング・トランジスタをターンオンするのに充分な大きさだけ前記プログラミング電圧の前記第2のレベルよりも低くなっていて、これにより前記プログラミング電圧の前記第2のレベルが前記プログラミング・トランジスタを介して前記スイッチの前記共有ゲート端子に印加されるようになっている、第2の回路(M7 及びM8 )と、を含んでいる制御回路と、を有することを特徴とする回路。

IPC (2件)：

A61B8/00 , G01N29/24

FI (2件)：

A61B8/00 , G01N29/24 502

Fターム (16件)：

2G047CA01 , 2G047DB02 , 2G047EA05 , 2G047EA17 , 2G047GB02 , 2G047GF06 , 2G047GF10 , 2G047GF11 , 4C601EE03 , 4C601EE15 , 4C601GB03 , 4C601GB06 , 4C601HH04 , 4C601HH05 , 4C601JB36 , 4C601JB45

引用特許：

出願人引用 (4件)

米国特許第4595847号
欧州公開特許出願第1089433号
米国特許第5212474号

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審査官引用 (7件)

電力用非接地半導体スイッチの駆動回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-029262 出願人：熊本県
スイッチ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-000917 出願人：日本電気株式会社
特開平4-056511

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