特許
J-GLOBAL ID：200903092306776816

超音波トランスデューサ・アレイのための集積型高電圧スイッチング回路

発明者：
ロバート・ギデオン・ウッドニッキ

ロバート・ギデオン・ウッドニッキ について


出願人/特許権者：
ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ

ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ について


代理人 (3件)： 松本 研一 ,  小倉 博 ,  伊藤 信和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-000044
公開番号（公開出願番号）：特開2004-274721
出願日： 2004年01月05日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】 素子のアレイと共に用いる集積型高電圧スイッチング回路を提供する。【解決手段】 スイッッチング回路は、寄生ゲートキャパシタンスを有し、背中合わせに組み合わされ、共有ゲート端子を有する一対のDMOSトランジスタ(MD1、MD2)からなるスイッチを有する。DMOSトランジスタのドレインは、スイッチの入力及び出力端子に接続される。スイッチング回路は、ドレインがダイオード(D1)を介してスイッチの共有ゲート端子に接続され、ソースが、グローバルスイッチゲート・バイアス電圧端子(Vg0)に接続されて該電圧端子から電流を引き出す。ゲートは、スイッチゲート制御電圧入力(Vp)を受けるスイッチゲート制御端子に接続されたPMOSトランジスタを含むターンオン回路(M4)を備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
背中合わせに組み合わされ共有ゲート端子を有する一対のDMOSトランジスタ(MD1、MD2)を備え、前記DMOSトランジスタのドレインがそれぞれスイッチの入力端子及び出力端子に接続された、オン状態とオフ状態及び寄生ゲートキャパシタンスを有するスイッチと、 ドレインがダイオード(D1)を介して前記スイッチの前記共有ゲート端子に接続され、ソースが第1のグローバルスイッチゲート・バイアス電圧端子(Vg0)に接続されて該第1のグローバルスイッチゲート・バイアス電圧端子から電流を引き出すようになっており、ゲートが第1のスイッチゲート制御電圧入力(Vp)を受ける第1のスイッチゲート制御端子に電気的に接続されたPMOSトランジスタ(M4)を含むターンオン回路と、 を備え、 前記スイッチは、前記PMOSトランジスタをオン作動させる前記第1のスイッチゲート制御電圧入力の第1の移行に応じて、前記オフ状態から前記オン状態に移行し、該スイッチは、該PMOSトランジスタをオフ作動させる前記第1のスイッチゲート制御電圧入力の第2の移行に応じて、該オン状態にとどまることを特徴とする集積型高電圧スイッチング回路。
IPC (3件)：
H03K17/687 ,  A61B8/00 ,  H03K17/10
FI (3件)：
H03K17/687 A ,  A61B8/00 ,  H03K17/10
Fターム (26件)：
4C601BB08 ,  4C601EE12 ,  4C601EE15 ,  4C601GB21 ,  4C601HH01 ,  5J055AX07 ,  5J055AX08 ,  5J055BX16 ,  5J055CX29 ,  5J055DX22 ,  5J055DX73 ,  5J055DX83 ,  5J055EX02 ,  5J055EX07 ,  5J055EY01 ,  5J055EY12 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ04 ,  5J055EZ16 ,  5J055EZ20 ,  5J055FX05 ,  5J055FX18 ,  5J055FX19 ,  5J055FX37 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02
引用特許：
出願人引用 (12件)
  • 米国特許第4,595,847号公報
  • 欧州特許出願公開第1,089,433号公報
  • 米国特許第5,212,474号公報
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審査官引用 (27件)
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