特許

J-GLOBAL ID：200903081671000272

新規なコポリマー、そのフォトレジスト組成物およびその深紫外線二層システム

発明者： ビーノド・ビー・デ ,  サンジャイ・マーリク ,  ステファニー・ジェイ・ディロッカー ,  オグニアン・エヌ・ディモーヴ
出願人/特許権者： フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 高木 千嘉 ,  結田 純次 ,  三輪 昭次
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-548624
公開番号（公開出願番号）：特表2006-504827
出願日： 2003年10月31日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

深紫外線、特に193および248nmでフォト画像形成可能な上部層コーティング、高解像度のフォトリソグラフィーを行う二層レジストシステムをつくるのに好適な新規なコポリマー。化学的に増幅されたフォトレジスト組成物、および新規なコポリマーを使用するArFおよびKrfフォトリソグラフィーで使用するための材料として好適である、フォト画像形成可能なエッチングに耐えるフォトレジスト組成物のためのバインダー樹脂中で使用するのに好適な有機シリコン部分構造を提供する。

請求項（抜粋）：

構造(IA)、構造(IB)および構造(IC)

IPC (6件)：

C08F 220/10 ,  C08F 222/06 ,  C08F 230/08 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/075 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

C08F220/10 ,  C08F222/06 ,  C08F230/08 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/075 511 ,  H01L21/30 502R

Fターム (38件)：

2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025EA10 ,  2H025FA01 ,  4J100AK32R ,  4J100AL04P ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08S ,  4J100AP16T ,  4J100BA02S ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03S ,  4J100BA11Q ,  4J100BA12P ,  4J100BA15S ,  4J100BA76S ,  4J100BA81S ,  4J100BB17S ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC07Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09S ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100BD10P ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ポジ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-267429   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 放射線感受性組成物用酸無水物含有ポリマーの新規な製造法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-578435   出願人：アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド