特許

J-GLOBAL ID：200903081678685262

電子部品および電子部品の製造方法

発明者： 土師 宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-222196
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067957
出願日： 1997年08月19日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 基板の銅パッド上に、金ワイヤを良好にボンディングできるとともに、良好な半田付けが行える電子部品の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板11の銅パッド21、24上にニッケル膜22、25を形成し、更にニッケル膜22、25上に金属接合性が十分な厚みを有する金膜23、26を形成する。ハンダ付けの信頼性を損なう金とスズの化合物の形成を抑制するため、半田付けが行われる電極16については、電極16上の金膜26をドライエッチングにより除去し薄膜にする。これにより半田に溶解する金の量を抑えられるため半田バンプ17が良好に形成できる。また金膜23は十分な厚みを有しているためワイヤボンディングなど半導体素子との接続を良好に行うことができ、電子部品の信頼性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

銅の表面に少なくともニッケルを含むバリヤメタルが形成された基板と、前記バリヤメタル上に金属接合性が十分な厚みを以て形成された金膜と、前記基板上に搭載された半導体素子と、この半導体素子と前記金膜を接続する接続手段とを備え、前記金膜を薄膜化した電極上に半田付け部を有することを特徴とする電子部品。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 301

FI (4件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/60 301 P ,  H01L 23/12 F ,  H01L 23/12 N

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体パッケージおよび、それの製造方法および、それを実装した回路ボードと電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-206573   出願人：株式会社日立製作所
• 配線基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-279580   出願人：京セラ株式会社
• 半田バンプ付き半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-055806   出願人：シチズン時計株式会社
• 特開平2-239688