露光装置の照度むらの測定方法、照度むらの補正方法、半導体デバイスの製造方法及び露光装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-133298
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329653
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】投影露光装置の一括露光領域内における照度むらを抑制すること。【解決手段】前記照明光学系1及び投影光学系4から構成される露光装置において、感光基板上の有限領域内の任意の1点の結像にかかわる光線束が通過するすべての経路の透過率の平均を、前記感光基板上の有限領域の複数の点においてそれぞれ算出し、前記感光基板上の有限領域内における照度むらを求める。

請求項（抜粋）：

照明光学系から射出された照明光をフォトマスクに照射し、該フォトマスクを通過した光を投影光学系を介して感光基板上の有限領域に投影露光する露光装置に対して、前記投影光学系に起因する、前記感光基板上の有限領域内における照度むらの測定を行う露光装置の照度むらの測定方法であって、前記フォトマスク上のある1点から射出してその点と結像関係にある感光基板上の有限領域内に存在する像点に到達する光経路の関数の形で、投影光学系の透過率分布を測定する第1のステップと、測定された光経路依存透過率分布から、前記フォトマスク上の1点から射出して前記像点に到達する光経路の各々の透過率の平均値を算出することにより該像点の結像に関する投影光学系の平均透過率を求める第2のステップと、前記感光基板上の有限領域にある複数の代表点での結像の各々に関して、前記第1ステップ及び第2ステップを実施することにより、前記有限領域内の像点の位置の関数の形で投影光学系の透過率分布を求める第3のステップと、求められた像点位置依存透過率分布から、前記感光基板上の有限領域内における照度むらを算出する第4のステップと、から構成されることを特徴とする露光装置の照度むらの測定方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521

FI (4件)：

G03F 1/08 D , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 516 C , H01L 21/30 515 D

Fターム (15件)：

2H095BA01 , 2H095BB02 , 2H095BB05 , 2H095BC09 , 5F046AA25 , 5F046BA03 , 5F046BA08 , 5F046CB05 , 5F046CB08 , 5F046CB17 , 5F046CB23 , 5F046CB25 , 5F046DA01 , 5F046DB01 , 5F046DC12

引用特許：

審査官引用 (5件)

露光装置及び露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-304228 出願人：株式会社ニコン
露光量むらの計測方法及び該計測方法を用いた露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-307751 出願人：株式会社ニコン
特開昭61-190935

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