半導体ウエーハの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-357982
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189502
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】ワイヤソーを用いて大直径の単結晶棒をスライスした場合のスライス工程後のワレ、カケ、クラック等を防止することによって、大直径単結晶棒を切断する場合のワイヤソーのもついわゆる高速切断、低切断しろという利点を生かし、高生産性、高歩留で大直径ウエーハを得る。【解決手段】半導体単結晶棒をワイヤソーによってスライスして、薄円板状の半導体ウエーハを得る工程を有する半導体ウエーハの製造方法において、該スライスされた半導体ウエーハを次工程に送る前にエッチングする、ことを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも半導体単結晶棒をスライスして、薄円板状の半導体ウエーハを得る工程を有する半導体ウエーハの製造方法において、該スライスされた半導体ウエーハを次工程に送る前にエッチングする、ことを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体ウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-012011 出願人：日立電線株式会社
特開平4-162609
特開平3-295235

全件表示

前のページに戻る