特許
J-GLOBAL ID：200903081735246300
半導体デバイス製造プロセスの処理状況をモニタするための方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-106763
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349076
出願日： 2000年04月07日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：
【要約】【課題】プラズマ特性を用いてプロセス状態をモニタするための方法と装置が提供される。【解決手段】プラズマで発生する電磁放射を収集し、電磁放射の強度に基づき少なくとも1つの周波数成分を有する検出信号が発生され、ウェーハペデスタルに与えられるRFパワーがモニタされ、検出信号となる。検出信号の少なくとも1つの周波数成分の大きさが経時的にモニタされプラズマ処理の特有な指紋が得られる。この特徴によって、プロセス状態情報、プロセス事象情報及びプロセスチャンバ情報が与えられる。一般に、反応レートによって変化する特性を有するいかなる化学反応も、同様にモニタすることができる。
請求項（抜粋）：
広帯域光電磁放射特性以外のプラズマの特性を測定し、それと関連した大きさを有する少なくとも1つの周波数成分を有する検出信号を発生し、前記検出信号の少なくとも1つの周波数成分の大きさを経時的にモニタする、プラズマを使用したプロセスモニタリング方法。
IPC (8件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/52
, H01L 21/205
, H01L 21/31
, H01L 21/66
, H01L 21/68
, H05H 1/00
, H05H 1/46
H01L 21/302 E
, C23C 16/52
, H01L 21/205
, H01L 21/31 A
, H01L 21/66 P
, H01L 21/68 A
, H05H 1/00 A
, H05H 1/46 A
