特許
J-GLOBAL ID：200903081737792353
多孔質炭素材料とその製造方法および電気二重層キャパシタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小川 順三
, 中村 盛夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-323812
公開番号（公開出願番号）：特開2006-131465
出願日： 2004年11月08日
公開日（公表日）： 2006年05月25日
要約：
【課題】 体積固有抵抗が低くかつ充放電時の膨張率が小さい多孔質炭素材料とその製造方法ならびにその多孔質炭素材料を分極性電極に用いた電気二重層キャパシタを提供する。【解決手段】 平均粒径を20μm以下に調整したメソフェーズ小球体を賦活化処理する、平均粒径が20μm超のメソフェーズ小球体を賦活化処理したのち粉砕、分級処理して平均粒径を20μm以下に調整する、平均粒径が20μm超のメソフェーズ小球体を粉砕、分級処理して平均粒径を20μm以下に調整したのち賦活化処理するあるいは上記いずれか1以上の方法で得た平均粒径20μm以下メソフェーズ小球体を混合する方法により、平均粒径を20μm以下で、体積固有抵抗が80mΩ・cm以下、充放電時の膨張率が120%以下の多孔質炭素材料を得、これを電気二重層キャパシタの分極性電極材料として用いる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
体積固有抵抗が80mΩ・cm以下、充放電時の膨張率が120%以下の賦活化処理されたメソフェーズ小球体からなることを特徴とする多孔質炭素材料。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B31/02 101B
, H01G9/00 301A
4G146AA23
, 4G146AB02
, 4G146AC02A
, 4G146AC02B
, 4G146AC19A
, 4G146AC19B
, 4G146AC20A
, 4G146AC20B
, 4G146AC30A
, 4G146AC30B
, 4G146AD11
, 4G146AD21
, 4G146AD23
, 4G146BB03
, 4G146BB06
, 4G146BB11
, 4G146BB15
, 4G146BB18
