特許
J-GLOBAL ID：200903081748136083
低アーク放電性、円筒形ガスアウトレット及び成形表面を有するプラズマリアクタ・オーバーヘッド・ソースパワー電極
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
長谷川 芳樹
, 山田 行一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-019544
公開番号（公開出願番号）：特開2006-210929
出願日： 2006年01月27日
公開日（公表日）： 2006年08月10日
要約：
【課題】アーク放電を抑制し、エッチング均一性が向上したVHF電極を提供する。【解決手段】階段状ガスシャワーヘッド電極3240は、該電極の頂部における供給圧力でプロセスガスを受け入れるガス供給マニホールド3220と、各オリフィスの一端部において、該ガス供給マニホールド3220から該電極3240に対して軸方向に伸びる複数の圧力低下円筒形オリフィス3222とを含む。該電極内の径方向ガス分布マニホールド3220は、該電極の全域で径方向に伸びている。複数の軸方向に伸びる高コンダクタンスのガスフロー流路は、該複数の圧力低下オリフィス3222のそれぞれの対向端部を該径方向ガス分布マニホールド3220に結合する。複数の高コンダクタンスの円筒形ガスアウトレット穴3214,3216は、該電極3240のプラズマに面する底部面に形成されており、該径方向ガス分布マニホールド3220に対して軸方向に伸びている。【選択図】 図32
請求項（抜粋）：
プラズマリアクタの真空チャンバ内の支持ペデスタル上の被加工物を処理する前記プラズマリアクタにおける、前記リアクタのシーリングの少なくとも一部を形成する、径方向に伸びるガス分布電極であって、前記リアクタのRFプラズマソースパワーアプリケータであり、かつ前記リアクタの処理ゾーンに面する底部面を有するガス分布電極において、
前記電極の頂部において、供給圧力でプロセスガスを受け入れるガス供給マニホールドと、
各オリフィスの一端部において、前記ガス供給マニホールドから前記電極に対して軸方向に伸びる複数の圧力低下円筒形オリフィスと、
前記電極の全域で径方向に伸びる、前記電極内の径方向ガス分布マニホールドと、
前記複数の圧力低下オリフィスのそれぞれの対向端部を前記径方向ガス分布マニホールドに結合する複数の軸方向に伸びる高コンダクタンスのガスフロー流路と、
前記径方向ガス分布マニホールドに軸方向に伸びる前記電極の前記底部面に形成された複数の高コンダクタンスの円筒形のガスアウトレット穴と、を備える、電極。
IPC (4件)：
H01L 21/306
, C23C 16/455
, C23C 16/509
, H05H 1/46
H01L21/302 101D
, C23C16/455
, C23C16/509
, H05H1/46 M
4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA04
, 4K030FA01
, 4K030KA17
, 4K030KA45
, 4K030LA15
, 5F004AA01
, 5F004AA15
, 5F004BA04
, 5F004BA06
, 5F004BB13
, 5F004BB29
, 5F004BC03
, 5F004CA02
, 5F004CA03
, 5F004CB07
, 5F004EA10
