特許
J-GLOBAL ID：200903081761316953
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
内山 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-114053
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298120
出願日： 2000年04月14日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
要約：
【要約】【課題】高位置精度、サイズの均一性、高さの均一性などに優れた接続端子を有するウエハレベルチップサイズパッケージ用半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体回路が形成されたチップと、該チップの半導体回路側表面に設けられたデバイス端子と、該デバイス端子と電気的に結合された接続端子から構成され、かつ該接続端子が絶縁体で設けた突起部とその表面を覆う金属層とからなるウエハレベルチップサイズの半導体装置、及びその製造方法である。
請求項（抜粋）：
半導体回路が形成されたチップと、該チップの半導体回路形成側表面に設けられたデバイス端子と、該デバイス端子と電気的に結合された外部回路基板接合用端子から構成されるウエハレベルチップサイズの半導体装置において、外部回路基板接合用端子が絶縁体からなる突起部と該絶縁体表面に設けられた金属層からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/12
, H01L 21/56
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L 21/56 R
, H01L 23/12 L
, H01L 23/30 R
4M109AA02
, 4M109BA07
, 4M109CA10
, 4M109EA15
, 5F061AA01
, 5F061BA07
, 5F061CA10
, 5F061CB13
