ネガ型パターン形成材料

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-125679
公開番号（公開出願番号）：特開平7-311463
出願日： 1994年05月16日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】任意の分子量に制御することができると共に、紫外光や遠紫外光に対しても十分な露光感度を有し、かつ光強度の低下を最小限に抑え、しかもウェハー製造工程中の真空工程における真空度の不安定化、プロセス雰囲気の汚染の誘発、ポリマーの溶解速度の遅速などが生じることがなく、パターンニングの不安定さが解消されて、超LSI等の製造に用いるパターン形成材料として好適なパターン形成材料を得る。【構成】 (1)下記示性式(1)で示される重合単位を含み、分子量分布(重量平均分子量/数平均分子量)が1.0〜1.4である狭分散ヒドロキシスチレン系ポリマー(2)光酸発生剤(3)酸架橋剤(4)有機溶剤を配合してネガ型パターン形成材料を調製する。【化1】(但し、式中Rは水素原子又は炭素数1〜4の低級アルキル基である。)

請求項（抜粋）：

(1)下記示性式(1)で示される重合単位を含み、分子量分布(重量平均分子量/数平均分子量)が1.0〜1.4である狭分散ヒドロキシスチレン系ポリマー【化1】(但し、式中Rは水素原子又は炭素数1〜4の低級アルキル基である。)(2)光酸発生剤(3)酸架橋剤(4)有機溶剤を含有してなることを特徴とするネガ型パターン形成材料。

IPC (4件)：

G03F 7/038 505 , G03F 7/004 503 , G03F 7/033 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (9件)

レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-208302 出願人：富士通株式会社
特開平4-151665
特開平3-253858

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