特許

J-GLOBAL ID：200903081861650893

半導体記憶装置

発明者： 首藤 晋 ,  ヘミンク・ゲルトヤン ,  遠藤 哲郎 ,  田中 智晴 ,  有留 誠一 ,  作井 康司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-195811
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064787
出願日： 1994年08月19日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】Vpp用のトランジスタの基板バイアス効果を軽減し、昇圧回路の効率を上げた半導体記憶装置を提供する。【構成】EEPROMは、P型基板11内に形成された、周辺回路用のP型ウェル12及びN型ウェル13と、メモリセル用のN型ウェル13内に形成されたP型ウェル12と、を有する。メモリセルトランジスタ18は、N型ウェル13内に形成されたP型ウェル12上に形成される。Vm /Vcc用のNchトランジスタ16はP型ウェル12上に、Vm /Vcc用のPchMOSトランジスタ17はN型ウェル13上に形成される。電源電位より高い電位Vpp用のNchトランジスタ15はウェルを介することなく基板11上に直接形成される。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、前記基板内に形成された第1導電型の第1ウェルと、前記基板内に形成された第2導電型の第2ウェルと、前記基板内に形成された第2導電型のウェルの内に形成された第1導電型の第3ウェルと、前記第3ウェル上に形成された複数のメモリセルトランジスタと、前記第2ウェル上に形成された電源電位で駆動する第1導電チャネル型のMOSトランジスタからなる第1トランジスタと、前記第1ウェル上に形成された電源電位で駆動する第2導電チャネル型のMOSトランジスタからなる第2トランジスタと、ウェルを介することなく前記基板上に直接形成された電源電位より高い電位で駆動する第2導電チャネル型のMOSトランジスタからなる高電位トランジスタと、を具備する半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-204354   出願人：三星電子株式会社
• 特開昭61-218172