特許
J-GLOBAL ID:200903081932652973
半導体材料から構成された基板を研磨する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (8件):
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, 杉本 博司
, 星 公弘
, 二宮 浩康
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-184841
公開番号(公開出願番号):特開2009-033159
出願日: 2008年07月16日
公開日(公表日): 2009年02月12日
要約:
【課題】半導体材料から構成された基板に対して改善された研磨法を規定することであり、この方法は、殊に微小荒さに関連して特に低い値をもたらす。【解決手段】研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、研磨材溶液が研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプAの少なくとも1つの研磨工程;および研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、結合されていない研磨材を含有する研磨材スラリーが研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプBの少なくとも1つの研磨工程を有する。【効果】著しく低い"ヘイズ"およびRMS荒さ値を予想することができる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
半導体材料から構成された基板を研磨する方法において、
研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、研磨材溶液が研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプAの少なくとも1つの研磨工程;および
研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、結合されていない研磨材を含有する研磨材スラリーが研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプBの少なくとも1つの研磨工程を有することを特徴とする、半導体材料から構成された基板を研磨する方法。
IPC (3件):
H01L 21/304
, B24B 37/04
, B24B 37/00
FI (5件):
H01L21/304 621B
, B24B37/04 X
, B24B37/00 H
, H01L21/304 621D
, H01L21/304 622X
Fターム (8件):
3C058AA07
, 3C058AA09
, 3C058CA05
, 3C058CB01
, 3C058CB10
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
引用特許:
出願人引用 (2件)
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WO 99/55491A1
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欧州特許出願公開第1717001号明細書A1
審査官引用 (4件)