半導体ウエーハの製造方法およびワークのスライス方法ならびにそれらに用いられるワイヤソー

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：磯野道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-125989
公開番号（公開出願番号）：特開2006-297847
出願日： 2005年04月25日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：

【課題】ワイヤソーによるスライス工程で、ウエーハの表面に長周期のうねりを発生させないようにスライスするとともに、スライスされたウエーハ表面に残る短周期のうねりを研磨工程で完全に除去することでラッピング工程または両頭研削工程を省略できる。【解決手段】複数本の加工用ローラ間にワイヤを複数回、巻き回してワイヤ列を形成し、ワイヤの往復走行の1往復を1サイクルとすると、1分間当たり3サイクル以上8サイクル未満の間の一定サイクルでワイヤを往復走行させながらワークをスライスするスライス工程と、前記スライスされたウエーハの両面を研削砥石によって片面ずつ研削する研削工程と、前記研削されたウエーハの両面に対して、固定砥粒研磨布と砥粒を含まない研磨材を使用して化学的機械的研磨する研磨工程と、からなることを特徴とする半導体ウエーハの製造方法である。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

複数本の加工用ローラ間にワイヤを複数回、巻き回してワイヤ列を形成し、そのワイヤを往きより戻りを短く設定して往復走行させながら前記ワイヤ列とワークとの間にスラリーを供給しつつワイヤ列にワークを相対的に押し付けて一度に複数枚のウエーハにスライスするワイヤソーによって、ワイヤの往復走行の1往復を1サイクルとすると、1分間当たり3サイクル以上8サイクル未満の間の一定サイクルでワイヤを往復走行させながらワークをスライスするスライス工程と、前記スライスされたウエーハの両面を研削砥石によって片面ずつ研削する研削工程と、前記研削されたウエーハの両面に対して、固定砥粒研磨布と砥粒を含まない研磨材を使用して化学的機械的研磨する研磨工程と、からなることを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。

IPC (6件)：

B28D 5/04 , B24B 27/06 , B24B 37/04 , B24D 3/28 , B24D 11/00 , H01L 21/304

FI (7件)：

B28D5/04 C , B24B27/06 S , B24B37/04 Z , B24D3/28 , B24D11/00 E , H01L21/304 621A , H01L21/304 622F

Fターム (23件)：

3C043BB00 , 3C043CC04 , 3C043CC07 , 3C043CC13 , 3C058AA02 , 3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA17 , 3C063AB07 , 3C063BB07 , 3C063BC03 , 3C063BH19 , 3C063EE10 , 3C069AA01 , 3C069BA06 , 3C069BB03 , 3C069BB04 , 3C069BC02 , 3C069CA04 , 3C069DA06 , 3C069EA01

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体鏡面ウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-204311 出願人：信越半導体株式会社
半導体ウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-221485 出願人：東芝セラミックス株式会社
ワイヤソ-のインゴット切断方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-244728 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社

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審査官引用 (6件)

ワイヤーソーを用いた単結晶シリコンインゴットのスライス方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-174853 出願人：東芝セラミックス株式会社
ワイヤ式切断方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-213427 出願人：エム・イー・エム・シー株式会社
半導体ウェーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-122777 出願人：三菱住友シリコン株式会社

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