特許
J-GLOBAL ID：200903028387058858

半導体装置の製造方法

発明者：
酒井 哲哉

酒井 哲哉 について

, 
土屋 泰章

土屋 泰章 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-315560
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135605
出願日： 1999年11月05日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 ディッシング及びエロージョンに起因する配線抵抗の変動を抑制する。【解決手段】 1次研磨工程において、砥粒を含む硬質な固定砥粒パッド11にウェハ21を密着させ、固定砥粒パッド11上に砥粒を含まない溶液40を供給しながら固定砥粒パッド11を回転させてウェハ21の表面を研磨し、2次研磨工程において、砥粒を含まない軟質なウレタンパッド12にウェハ21を密着させ、ウレタンパッド12上に砥粒を含むスラリー30を供給しながらウレタンパッド12を回転させてウェハ21の表面を研磨することにより、1次研磨工程によって、ディッシングやエロージョンが非常に少なく平坦性の高い研磨を行うとともに、2次研磨工程によって、1次研磨工程にて発生したスクラッチを減少させる。
請求項（抜粋）：
基板上に溝を形成し、該溝が形成された基板上に導電層を成膜し、該導電層のうち前記溝以外に形成された導電層を研磨により削除することにより前記溝内に配線を形成する半導体装置の製造方法において、前記基板を、砥粒を含む硬質な第1のパッドに密着させ、前記第1のパッド上に砥粒を含まない第1の溶液を供給しながら前記第1のパッドを回転させて前記基板の表面を研磨する1次研磨工程と、前記基板を、砥粒を含まない軟質な第2のパッドに密着させ、前記第2のパッド上に砥粒を含む第2の溶液を供給しながら前記第2のパッドを回転させて前記基板の表面を研磨する2次研磨工程とを順次行うことにより、前記溝内に配線を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/3205
FI (6件)：
H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 Z ,  B24B 37/00 H ,  B24B 37/00 C ,  H01L 21/88 K
Fターム (19件)：
3C058AA04 ,  3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AA18 ,  3C058AC04 ,  3C058CB02 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033XX01 ,  5F033XX10
引用特許：
審査官引用 (3件)

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