半導体装置及びその製造方法、並びにその応用装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野口繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-066585
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270827
出願日： 2001年03月09日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 MOS半導体装置で微細化と高耐圧を達成する。【解決手段】ソース拡散層とドレイン拡散層は、ともに低濃度不純物拡散層5s,5dと高濃度不純物拡散層6s,6dとからなっている。低濃度不純物拡散層5s,5dはゲート電極8とはチャネル長方向の均一な幅wの重なりをもち、高濃度不純物拡散層6s,6dはゲート電極8の端縁部11とは均一な距離d1をもって対向する縁部12をもち、かつチャネルストッパー拡散層3とも距離d2,d3をもって対向する縁部をもっている。耐圧を確保するために、d1は1.0μm以上、d2,d3は1.5μm以上である。

請求項（抜粋）：

チャネルストッパー拡散層を下方にもつ素子分離領域に隣接する活性領域の半導体基板にソース拡散層とドレイン拡散層が形成され、両拡散層間の半導体基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成されているMOS半導体装置において、前記ソース拡散層とドレイン拡散層は第1の不純物拡散層と第2の不純物拡散層とからなり、前記第1の不純物拡散層は、ウエル拡散層よりは浅く形成されており、前記ゲート電極とはチャネル長方向の均一な幅の重なりをもち、前記チャネルストッパー拡散層と接触しており、前記第2の不純物拡散層は前記第1の不純物拡散層の内側領域に形成され、その領域は前記ゲート電極の端縁部とは均一な距離をもって対向する縁部をもち、かつ前記チャネルストッパー拡散層とも距離をもって対向する縁部をもっており、前記第1の不純物拡散層と前記第2の不純物拡散層は同じ導電型であり、前記第1の不純物拡散層は前記第2の不純物拡散層よりも不純物濃度が低く、かつ深さが深く、前記第2の不純物拡散層にコンタクト部が配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 27/08 321 E

Fターム (31件)：

5F048AA05 , 5F048AB10 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BE02 , 5F048BG12 , 5F140AA25 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC31 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BC06 , 5F140BE07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF51 , 5F140BG31 , 5F140BG32 , 5F140BH02 , 5F140BH17 , 5F140CB01 , 5F140CB02 , 5F140CB08 , 5F140CB10 , 5F140CC07 , 5F140CC12 , 5F140CC20

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-171938
特開昭62-123763
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-125904 出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る