半導体レーザ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-183002
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027947
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】動作電圧が低く単一モードで発振する半導体レーザを実現する。【解決手段】 SiC基板102上にn型AlNバッファ層103、n型AlGaNクラッド層104、InGaN活性層105、p型AlGaNクラッド層106があり、ストライプ状の開口部の両側にはInGaN界面層105、n型AlGaN電流阻止層108があり、ストライプ状開口部の中及び電流阻止層の上にはp型AlGaNクラッド層109、p型GaNコンタクト層110がある。ストライプ状開口部内において、p型AlGaNクラッド層106は同じくp型AlGaNクラッド層109と接しており、この領域を通して活性層に電流が注入される。電流阻止層108とp型クラッド層106の間にはInGaN界面層107がある。界面層はAlを含んでいないため、エッチング後表面を大気に曝しても酸化は少なくすることが出来、2回目のMOCVD成長時にInGaN層をリアクター内で蒸発させることによって、良好な再結晶成長界面を得、動作電圧を低減することができる。

請求項（抜粋）：

InGaN活性層と、該活性層に対して基板と反対側に形成したAlGaNクラッド層と、前記クラッド層を介してストライプ溝を持つ電流阻止層とを備え、該電流阻止層の前記クラッド層と接する界面にInGaN層があり、前記ストライプ溝の中はAlGaN半導体層があり、該AlGaN層と前記クラッド層の界面にはInGaN層がないことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , G11B 7/125 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 , G11B 7/125 A , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-235011 出願人：ローム株式会社
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-233178 出願人：ローム株式会社
半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-235102 出願人：シャープ株式会社

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