特許
J-GLOBAL ID：200903081985424310
可変抵抗素子とその製造方法並びにそれを備えた記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-228600
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048779
出願日： 2005年08月05日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】 第1電極と第2電極と可変抵抗体とを備え、該可変抵抗体が第1電極と第2電極とに挟持された領域に存し、両電極間に電圧パルスを印加することにより電気抵抗が変化する可変抵抗素子では、電極材料として貴金属電極を用いなければならないという制約があり、従来のCMOSプロセスとの整合性が悪いという問題があった。 【解決手段】 遷移金属元素の酸窒化物を可変抵抗体として適用した可変抵抗素子では、安定なスイッチング動作を示し、データの保持特性が良好で、書き込み電流も小さい。また、電極材料として必ずしも貴金属を必要としないので、既存のCMOSプロセスと整合性が高く容易に製造できる。また、導電性窒化物からなる下部電極表面を酸化して可変抵抗体材料を成膜するという簡便な工程で可変抵抗素子を形成することができる。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1電極と第2電極と可変抵抗体とを備え、前記可変抵抗体が前記第1電極と前記第2電極とに挟持された領域に存し、前記第1の電極と前記第2の電極間に電圧パルスを印加することにより、前記第1電極と前記第2電極間の電気抵抗が変化する可変抵抗素子において、
前記可変抵抗体が遷移金属元素の酸窒化物であることを特徴とする可変抵抗素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/10 451
, G11C13/00 A
5F083FZ10
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083PR13
, 5F083PR21
, 5F083PR22
