特許
J-GLOBAL ID：200903082000910076

III族窒化物半導体発光素子

発明者：
桜井 哲朗

桜井 哲朗 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-296456
公開番号（公開出願番号）：特開2007-109713
出願日： 2005年10月11日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】発光強度が高く、かつ駆動電圧が低いIII族窒化物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】基板上にIII族窒化物半導体からなる、n型半導体層、発光層およびp型半導体層がこの順序で積層され、正極および負極がそれぞれp型半導体層およびn型半導体層に接して設けられた発光素子において、該正極がITO(Indium-Tin-Oxide)からなり、該ITOが該p型半導体層と直接接するように配置されており、且つ、該p型半導体層がMgドーパントを0.9×1020〜2×1020原子/cm3の濃度で含有していることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にIII族窒化物半導体からなる、n型半導体層、発光層およびp型半導体層がこの順序で積層され、正極および負極がそれぞれp型半導体層およびn型半導体層に接して設けられた発光素子において、該正極がITO(Indium-Tin-Oxide)からなり、該ITOが該p型半導体層と直接接するように配置されており、且つ、該p型半導体層がMgドーパントを0.9×1020〜2×1020原子/cm3の濃度で含有していることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205
Fターム (19件)：
5F041AA24 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F041CA99 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045CA10 ,  5F045DA60 ,  5F045EE12
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特許第2803742号公報
  • 実開平6-38265号公報
審査官引用 (2件)
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-012371   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 窒化物半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-380578   出願人：日亜化学工業株式会社

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