半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：堀川かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-012371
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209733
出願日： 2004年01月20日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】正電極に対してオーミック性に優れ、接触抵抗を低く抑えることができるコンタクト層を備えた半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 p型半導体層の上に、p型コンタクト層を介して形成された正電極を備える半導体発光素子であって、前記p型コンタクト層が、膜厚250Å以下の膜厚で、Mg濃度1.5×1020/cm3以上に設定されてなる半導体発光素子。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

p型半導体層の上に、p型コンタクト層を介して形成された正電極を備える半導体発光素子であって、前記p型コンタクト層が、膜厚250Å以下の膜厚で、Mg濃度1.5×1020/cm3以上に設定されてなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L33/00 , H01L21/28

FI (3件)：

H01L33/00 C , H01L33/00 E , H01L21/28 301B

Fターム (22件)：

4M104AA04 , 4M104BB06 , 4M104BB13 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD37 , 4M104DD68 , 4M104DD80 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 4M104HH15 , 5F041AA03 , 5F041AA44 , 5F041CA40 , 5F041CA57 , 5F041CA83 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA93 , 5F041DA04 , 5F041DA09 , 5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-337448 出願人：シャープ株式会社
窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-014390 出願人：星和電機株式会社

審査官引用 (11件)

窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-014390 出願人：星和電機株式会社
窒化物半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-098976 出願人：日亜化学工業株式会社
絶縁基板を有する発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-156095 出願人：晶元光電股ふん有限公司

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