特許

J-GLOBAL ID：200903082027985949

電子銃及びその製造方法並びにフィールドエミッションディスプレイ

発明者： 松本 和彦 ,  内山 哲夫
出願人/特許権者： 株式会社 ケイアンドティ
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245033
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068016
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 先端径が小さく低仕事関数であるカーボンナノチューブをエミッタとして用い、しかも張り付けによらずにカーボンナノチューブの軸方向をアノードに向けて揃えて配置し、そのチューブの軸方向端部をエミッタエッジとして利用することができる電子銃を提供すること。【解決手段】 導電性シリコン層(カソード)10の表面には多数の突起部例えばSiコーン12が形成されている。このSiコーン12の円錐面上にて、エミッタとなるカーボンナノチューブ20が直接成長して形成され、その先端部20AはSiコーン12の頂部12Aよりもさらに突出している。カーボンナノチューブ20から放出される電子の飛翔経路と干渉しない位置に、カーボンナノチューブ20からの電子の放出量を制御するためのグリッド(ゲート)30が配置されている。さらに、グリッド30を挟んで導電性シリコン層10と対向する位置には、アノード(蛍光板)40が配置されている。

請求項（抜粋）：

基板の表面層上に形成された尖鋭な先端部を有するエミッタと、前記エミッタからの電子放出を制御するグリッドとを有し、前記エミッタの先端部と対向するアノードに向けて電子を放出する電子銃において、前記表面層には突起部が形成され、前記エミッタは、前記突起部上に直接成長させたカーボンナノチューブにて形成され、前記カーボンナノチューブの先端部は前記突起部の先端より突出していることを特徴とする電子銃。

IPC (6件)：

H01J 1/304 ,  G09F 9/30 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 ,  C01B 31/02 101

FI (6件)：

H01J 1/30 F ,  G09F 9/30 ,  H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  C01B 31/02 101 F

Fターム (21件)：

4G046CA02 ,  4G046CB03 ,  4G046CB09 ,  4G046CC05 ,  5C031DD09 ,  5C031DD17 ,  5C031DD19 ,  5C036EE02 ,  5C036EE14 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH08 ,  5C036EH26 ,  5C094AA21 ,  5C094AA24 ,  5C094AA43 ,  5C094BA21 ,  5C094CA19 ,  5C094FA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-249096   出願人：株式会社東芝
• 電子放出素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-161506   出願人：日本電気株式会社