特許
J-GLOBAL ID：200903082059181248

半導体受光装置とその製造方法

発明者：
長島 伸幸

長島 伸幸 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-020178
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223735
出願日： 1999年01月28日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 フォトダイオード部のpn接合部を無くすことで寄生容量を低減し、応答速度を向上させる。【解決手段】 p-型半導体基板を持つ半導体受光装置のフォトダイオード部と回路部との間の絶縁分離帯の一部又は全体をロコス5(LOCOSすなわち酸化膜)として形成することで、従来の半導体受光装置のフォトダイオード部に存在した不要なpn接合部を無くし、これにより、半導体受光装置の寄生容量を低減し、応答速度を向上させることを可能にする。
請求項（抜粋）：
フォトダイオード部と前記フォトダイオード部の出力を順次読み取る回路部との対が複数個含まれる半導体受光装置において、前記フォトダイオード部と前記回路部との間の絶縁分離をなす絶縁分離帯の一部をLOCOS酸化手段によりLOCOSとして形成したこと、を特徴とする半導体受光装置。
IPC (2件)：
H01L 31/10 ,  H01L 21/76
FI (2件)：
H01L 31/10 A ,  H01L 21/76 M
Fターム (17件)：
5F032AA13 ,  5F032AA14 ,  5F032AB01 ,  5F032AB02 ,  5F032CA01 ,  5F032CA15 ,  5F032CA18 ,  5F032DA12 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA03 ,  5F049PA03 ,  5F049PA20 ,  5F049QA03 ,  5F049RA06 ,  5F049RA10 ,  5F049SS03
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 光半導体集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-095451   出願人：三洋電機株式会社
  • 特開昭50-146291
  • 特開平2-142181
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