特許
J-GLOBAL ID：200903082065960348

圧力センサ

発明者：
出尾 晋一

出尾 晋一 について

, 
吉川 英治

吉川 英治 について

, 
小林 浩

小林 浩 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-024956
公開番号（公開出願番号）：特開2008-190970
出願日： 2007年02月05日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】センサ素子を小型化しつつ圧力起歪部の機械的強度を向上させた圧力センサを提供する。【解決手段】圧力センサが、単結晶シリコン基板と、単結晶シリコン基板を底面からエッチングして形成された凹部と、凹部の底面に露出した圧力起歪部と、圧力起歪部の上方の活性層に設けられた歪ゲージと、活性層上に、絶縁膜を挟んで形成された導電層とを含み、圧力起歪部に与えられた圧力を歪ゲージの抵抗変化として検出する。活性層の<110>方向に沿った、圧力起歪部の回転中心からの線上にある、圧力起歪部の縁部から絶縁膜までの距離Sと絶縁膜の段差D、または圧力起歪部の縁部から導電膜の縁部までの距離Sと導電膜の段差Dが、S/D≧80の関係を満たす。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板と、 該シリコン基板を底面からエッチングして形成された凹部と、 該凹部の底面に露出した圧力起歪部と、 該圧力起歪部の上方の活性層に設けられた歪ゲージと、 該活性層上に、絶縁膜を挟んで形成された導電層とを含み、 該圧力起歪部に与えられた圧力を該歪ゲージの抵抗変化として検出する圧力センサであって、 該活性層の<110>方向に沿った、該圧力起歪部の回転中心からの線上にある、該圧力起歪部の縁部から該絶縁膜までの距離Sと該絶縁膜の段差D、または該圧力起歪部の縁部から該導電膜の縁部までの距離Sと該導電膜の段差Dが、 S/D≧80 の関係を満たすことを特徴とする圧力センサ。
IPC (2件)：
G01L 9/00 ,  H01L 29/84
FI (2件)：
G01L9/00 303B ,  H01L29/84 B
Fターム (26件)：
2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF49 ,  2F055GG15 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA04 ,  4M112CA08 ,  4M112CA13 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA10 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112EA18 ,  4M112FA07 ,  4M112FA20
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)
  • 半導体圧力センサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-213593   出願人：豊田工機株式会社, 株式会社東芝
  • 半導体圧力センサ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-286725   出願人：三菱電機株式会社
  • 半導体センサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-228783   出願人：株式会社日立製作所

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