特許

J-GLOBAL ID：200903082066374175

レジストパターンの形成方法、電極パターンの形成方法および弾性表面波装置の製造方法

発明者： 坂口 健二 ,  冬爪 敏之 ,  越戸 義弘
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-358014
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280297
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】透明基板にレジストパターンおよび電極パターンを形成する工程において、透明基板への紫外線の乱反射を防ぐ反射防止膜を形成しつつ、簡易な工程で、高品質で信頼性の高いレジストパターンおよび電極パターンを得るレジストパターンの形成方法、電極パターンの形成方法および弾性表面波装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板裏面に3.4eV以下のバンドギャップエネルギーを有する半導体からなる反射防止膜であって、かつ前記基板の材料の屈折率をn1、前記反射防止膜の材料の屈折率n2としたときに、(n1-n2)2/(n1+n2)2と表わされる反射率が、0.15以下である関係を有する反射防止膜を基板裏面に形成する。

請求項（抜粋）：

基板表面にフォトレジストからなるレジストパターンを形成するレジストパターンの形成方法であって、3.4eV以下のバンドギャップエネルギーを有する半導体からなる反射防止膜であり、かつ前記基板の材料の屈折率をn1、前記反射防止膜の材料の屈折率n2としたときに、(n1-n2)2/(n1+n2)2と表わされる反射率が、0.15以下である関係を有する反射防止膜を基板裏面に形成する工程と、基板表面にフォトレジストを形成する工程と、フォトレジストに対し、フォトレジストの上方向からフォトマスクを介して紫外光を露光し、部分的にフォトレジストを現像液に対して可溶性に変化させる工程と、基板を現像液に浸漬することにより、現像液に対して可溶性に変化させたフォトレジストを現像除去することで、レジストパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503 ,  H03H 3/08

FI (3件)：

G03F 7/11 503 ,  H03H 3/08 ,  H01L 21/30 574

Fターム (14件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025DA34 ,  5F046PA02 ,  5F046PA05 ,  5F046PA12 ,  5F046PA13 ,  5J097AA28 ,  5J097AA32 ,  5J097HA02 ,  5J097HA03 ,  5J097KK09

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 弾性表面波デバイスとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-011451   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体デバイスにおける反射防止層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-226643   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 半導体デバイスを製造するための方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-167598   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド