半導体デバイスを製造するための方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-167598
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106343
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】本発明は表面が平坦でない基板(10、20)から半導体デバイスを形成するための方法である。【解決手段】基板とホトレジスト層(16)との間に反射防止のコーティング(17、26)が形成され、ホトレジスト層の露光中に基板の表面における一様でない反射によって生じる問題を緩和する。UVおよびi線露光で使うための3層および2層のスタックが記述されている。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスを製造するための方法であって、半導体基板(10、20)の平坦でない表面上に反射防止のコーティング(17、26)を形成し、前記反射防止のコーティングはシリコン対酸化物の比が異なっていて、屈折率が異なり、そして消光係数が異なっているシリコン含有酸化物の少なくとも2つの層を含み、前記基板に隣接している酸化物の第1の層(13、23)の消光係数は0.7〜1.9の範囲内にあり、第2の酸化物層(15、24)の屈折率は約1.7〜2.0の範囲内にあるような、反射防止のコーティングを形成するステップと、エネルギー・センシティブな材料の層(16)をコーティングの上に形成するステップと、前記エネルギー・センシティブな層の中にパターン化されたイメージを導入するために、前記エネルギー・センシティブな層を放射線に対して露光するステップとを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/11 503 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/30 574 , G03F 7/11 503 , H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-031683 出願人：株式会社日立製作所
反射防止層を備えた半導体装置を製作する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-093676 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
特開平2-244153

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