特許
J-GLOBAL ID：200903034860824938

半導体デバイスにおける反射防止層の形成方法

発明者：
カート ジー.ステイナー

カート ジー.ステイナー について


出願人/特許権者：
ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド

ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-226643
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121371
出願日： 1998年08月11日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 干渉機能または吸収機能を改善した反射防止層をを提供する。【解決手段】 本発明は、基板112の上に形成された金属製または誘電体製の層118,120上に反射防止層を形成する半導体デバイスにおける反射防止層の形成方法において、金属製または誘電体製の層118,120の上に所定の厚さの誘電体層120を形成するステップと、前記誘電体層120を放射吸収領域と放射透過領域を有する反射防止層に変換するために酸化プロセスにより前記所定の厚さの誘電体層の少なくとも一部の厚さに屈折率の傾斜領域を形成するステップとからなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板(112)の上に形成された金属製または誘電体製の層(116,118)上に反射防止層を形成する半導体デバイスにおける反射防止層の形成方法において、(A) 金属製または誘電体製の層(116,118)の上に所定の厚さの誘電体層(120)を形成するステップと、(B) 前記誘電体層(120)を放射吸収領域(124)と、放射透過領域(122)を有する反射防止層に変換するために、酸化プロセスにより前記所定の厚さの誘電体層の少なくとも一部の厚さに屈折率の傾斜領域を形成するステップとからなることを特徴とする半導体デバイスにおける反射防止層の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/31
FI (3件)：
H01L 21/30 574 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/31 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
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