特許
J-GLOBAL ID：200903082080627604

磁気記憶装置およびその製造方法

発明者：
吉原 郁夫

吉原 郁夫 について

, 
元吉 真

元吉 真 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-010983
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218326
出願日： 2002年01月21日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：
【要約】【課題】 MRAMの構造上の本質的な問題点である高集積化による信頼性の問題とクロストークの問題を同時に解決する。【解決手段】 書き込みワード線11、ビット線12とが所定間隔を置いて交差するように形成され、その交差領域にトンネル絶縁層303を強磁性体層の磁化か固定層302と記憶層304とで挟んで構成されるTMR素子13が設けられた磁気記憶装置1において、二つの読み出しトランジスタ24、24が形成されるもので、書き込みワード線11の投影領域を斜めに横切る第1領域(22a)と、ビット線12と平行でかつ第1領域22aの一端側に連続して形成された第2領域(22b)と、ビット線12と平行でかつ第1領域(22a)の他端側に連続して形成された第3領域22cとからなる半導体領域22を備えたものである。
請求項（抜粋）：
書き込みワード線と、前記書き込みワード線と所定間隔を置いて交差するように形成されたビット線と、トンネル絶縁層を強磁性体層で挟んで構成されるもので前記書き込みワード線と前記ビット線との交差領域に設けられた磁気記憶素子と、前記磁気記憶素子の前記書き込みワード線側に形成された反強磁性体層を含む接続層とを備えた磁気記憶装置において、二つの読み出しトランジスタが形成されるもので、前記書き込みワード線の投影領域を斜めに横切る第1領域と、前記ビット線と平行でかつ前記第1領域の一端側に連続して形成された第2領域と、前記ビット線と平行でかつ前記第1領域の他端側に連続して形成された第3領域とからなる半導体領域を備えたことを特徴とする磁気記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (4件)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (14件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA32 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083LA21 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR03 ,  5F083PR22
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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