半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-122883
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319664
出願日： 2001年04月20日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】セル端部に発生しやすい磁区による読み出し動作のマージンの劣化を抑え、かつセルの微細化を実現する。【解決手段】 TMR素子24の一部を構成する磁気記録層20は、ビット線23の方向にセル毎に分断されることなく形成する。これにより、磁気記録層20はビット線23に沿って少なくとも2以上のセルにまたがって延在している。

請求項（抜粋）：

第1の磁性層と、第2の磁性層と、これら第1及び第2の磁性層の間に挟まれた非磁性層とで構成されるトンネル磁気抵抗効果素子を記憶素子として用いた半導体記憶装置であって、前記第1の磁性層に接続された第1の配線と、前記第1の配線と直交し、前記トンネル磁気抵抗効果素子を挟んで前記第1の配線の反対側で、かつ前記トンネル磁気抵抗効果素子と前記第1の配線との接続点の延長線上に、前記トンネル磁気抵抗効果素子と離間して配置された第2の配線とを具備し、前記第1の磁性層が、前記第1の配線に沿って前記トンネル磁気抵抗効果素子より外側へ延在していることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 43/08 , H01L 43/12

FI (5件)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 43/12 , H01L 27/10 447

Fターム (6件)：

5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083GA11 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083NA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-367280 出願人：株式会社東芝
磁気薄膜メモリ、磁気薄膜メモリの読出し方法、及び磁気薄膜メモリの書込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-302354 出願人：キヤノン株式会社
磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-277458 出願人：株式会社東芝

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