半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：畑泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-173368
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012971
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】 GaAs基板上に形成可能な1.3ミクロン帯の発光域を有する半導体レーザを開発する。【解決手段】活性領域401にGaAsSbから成る量子井戸層405を設ける。当該活性領域は、GaAs基板上に設ける事が出来る。

請求項（抜粋）：

活性領域にGaAsSbから成る量子井戸層が設けられている事を特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/30 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 B

Fターム (15件)：

5F041AA11 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA14 , 5F041CA34 , 5F041CA36 , 5F041CA38 , 5F041FF14 , 5F073AA13 , 5F073AA46 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073BA02 , 5F073CA07 , 5F073DA06

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭58-225677
特開平2-106082
特開昭60-235492

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